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在第三代半導體加速滲透的浪潮中，聞泰科技半導體業(yè)務(wù)堅持研發(fā)創(chuàng )新，推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS，不僅彰顯了技術(shù)突破的實(shí)力，更成為企業(yè)價(jià)值增長(cháng)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵錨點(diǎn)。

定義業(yè)界標桿
公司SiC Trench MOS行業(yè)領(lǐng)先

碳化硅（SiC）作為第三代半導體核心材料，在電力電子器件領(lǐng)域的價(jià)值日益凸顯。其中，SiC Trench MOS因多重優(yōu)勢，被視為下一代功率器件的重要方向，但受限于制造工藝，長(cháng)期以來(lái)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢。

聞泰科技半導體業(yè)務(wù)以創(chuàng )新為驅動(dòng)，推出SiC溝槽結構MOSFET（Trench MOS），其工藝在成本和性能上已處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

什么是溝槽結構MOSFET？相較于傳統平面結構，溝槽結構通過(guò)將柵極埋入基體形成垂直溝道，寄生電容更小，開(kāi)關(guān)速度更快，開(kāi)關(guān)損耗顯著(zhù)降低；同時(shí)，通過(guò)優(yōu)化溝道設計，可實(shí)現更高溝道遷移率，進(jìn)一步降低導通電阻，在充電樁、光伏逆變器、電動(dòng)汽車(chē)等場(chǎng)景中，展現出突出的應用價(jià)值。

產(chǎn)能前瞻布局
筑牢技術(shù)落地的根基

技術(shù)突破的同時(shí)，公司在產(chǎn)能端開(kāi)展前瞻布局。公司半導體業(yè)務(wù)位于德國漢堡晶圓廠(chǎng)的第三代半導體產(chǎn)線(xiàn)將在第四季度完成SiC和GaN中試產(chǎn)線(xiàn)建設；同時(shí)，控股股東先行代建的臨港晶圓廠(chǎng)正導入新一代IGBT及BCD工藝。這些產(chǎn)線(xiàn)的落地，將為公司新產(chǎn)品的工藝與成本改善提供支撐，同時(shí)助力公司在GaN、SiC、IGBT等領(lǐng)域形成技術(shù)與產(chǎn)能的聯(lián)動(dòng)優(yōu)勢，推動(dòng)“技術(shù)創(chuàng )新—規模效應”的良性循環(huán)。盡管新產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)中占比尚小，但隨著(zhù)研發(fā)的有序推進(jìn)，有望為未來(lái)發(fā)展注入新動(dòng)力。

目前，公司半導體業(yè)務(wù)自有工廠(chǎng)滿(mǎn)產(chǎn)運行，臨港晶圓廠(chǎng)等第三方代工廠(chǎng)訂單充足，三季度訂單持續向好，為全年增長(cháng)打下了堅實(shí)基礎。

業(yè)績(jì)穩健增長(cháng)
彰顯市場(chǎng)高度認可

研發(fā)與產(chǎn)能上的持續深耕，正在轉化為實(shí)實(shí)在在的業(yè)績(jì)增長(cháng)。

2025年以來(lái)，聞泰半導體業(yè)務(wù)景氣度持續回升：一季度收入同比增長(cháng)超8%，經(jīng)營(yíng)性?xún)衾麧櫷仍鲩L(cháng)超65%；二季度延續增長(cháng)態(tài)勢，收入、凈利潤同比及環(huán)比均實(shí)現兩位數增長(cháng)，且凈利潤增速高于收入增速，反映出公司在出貨量提升與成本管控上的雙重成效。

伴隨全球對高效率半導體器件的需求增長(cháng)，功率半導體有望在新能源汽車(chē)、AI數據中心、機器人等領(lǐng)域拓展更大空間。隨著(zhù)市場(chǎng)趨勢對半導體的依賴(lài)性增強，預計半導體業(yè)務(wù)未來(lái)幾年的增長(cháng)趨勢是積極的。

SiC Trench MOS的推出，是聞泰科技在第三代半導體領(lǐng)域的重要突破。聞泰科技正以其為支點(diǎn)，持續深耕SiC、GaN、IGBT等前沿領(lǐng)域，通過(guò)構建領(lǐng)先的制造能力，在技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)落地中不斷創(chuàng )造價(jià)值，為半導體行業(yè)的發(fā)展注入持續動(dòng)力。